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SOI高速光開關(guān)1x8
SOI高速光開關(guān)1x8具有多通道、高集成度芯片化、高速響應(yīng)、高串?dāng)_的特點(diǎn),主要應(yīng)用于光纖傳感、光纖通信、光網(wǎng)絡(luò)監(jiān)控與保護(hù)、激光器雷達(dá)等領(lǐng)域
產(chǎn)品咨詢
詳細(xì)信息

SOI高速光開關(guān)1x8

一、SOI高速光開關(guān)1x8的定義

硅光芯片用于高速光開關(guān),其原理類似demux,將單路光分成多路,每次只選通其中一路。當(dāng)前設(shè)計(jì)綜合考慮工藝的成熟度、集成難度、靈活性,在 Sample A1決定采用純光纖的模塊化方案,一個(gè)模塊為 1x8 形式。光開關(guān)輸入、輸出采用光纖/光纖陣列。采購模塊化的產(chǎn)品,即已經(jīng)封裝好的、帶有光纖的模塊。該模塊可以焊接在 的PCB 上直接使用。
二、SOI高速光開關(guān)1x8的特點(diǎn)
多通道
高集成度芯片化
高速響應(yīng)
高串?dāng)_
三、SOI高速光開關(guān)1x8的應(yīng)用
光纖傳感
光纖通信
光網(wǎng)絡(luò)監(jiān)控與保護(hù)

激光器雷達(dá)

四、SOI高速光開關(guān)1x8的性能指標(biāo)

參數(shù)指標(biāo)參數(shù)備注
波長
1530-1565nm

光開關(guān)構(gòu)架
1x8
雙向、TE/TM
開關(guān)速度
<200ns

插損
≤8db
光纖到光纖(室溫)
消光比
>18db

申擾
>25db

回波損耗
>35db
入射到光纖中功率與反射功率的比值
最大光功率
300mw
輸入功率
開關(guān)重復(fù)頻率(PRF)
1MHz

工作溫度范圍
-20~+70°C

存儲(chǔ)溫度
-40~+85℃

輸入方式
可選
封裝后甩線,保偏FC/APC(Sample A1),鍍層AR
輸出方式
光纖
封裝后甩線*8,保偏FC/APC(Sample A1),鍍層AR
開關(guān)壽命
10年

五、SOI高速光開關(guān)1x8模塊化后的電氣參數(shù)


參數(shù)備注
1x8 Unit功耗@300khz   開關(guān)頻率(最大)
300mW

開關(guān)驅(qū)動(dòng)電流(最大)
15mA

開關(guān)控制電壓
2V

調(diào)整偏置電流/電壓范圍
30mA/3V

溫度傳感器

未集成溫度傳感器或TEC
六、SOI高速光開關(guān)1x8芯片尺寸



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