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SOI高速光開(kāi)關(guān)陣列
SOI高速光開(kāi)關(guān)陣列具有多通道,高集成度芯片化,高速響應(yīng)的特性,主要應(yīng)用于光纖傳感,光纖通信,光網(wǎng)絡(luò)監(jiān)控與保護(hù)等領(lǐng)域
產(chǎn)品咨詢(xún)
詳細(xì)信息

SOI高速光開(kāi)關(guān)陣列

       SOI高速光開(kāi)關(guān)陣列,該產(chǎn)品基于硅基載流子色散效應(yīng)實(shí)現(xiàn)納秒級(jí)高速響應(yīng)的光路切換,實(shí)現(xiàn)了多通道光開(kāi)關(guān)陣列的單片化集成,芯片與多通道光纖和外圍驅(qū)動(dòng)電路一體化光電封裝,熱電混調(diào),數(shù)字化驅(qū)動(dòng),偏振相關(guān)性小,插入損耗低。    

SOI高速光開(kāi)關(guān)陣列特性

  • 多通道
  • 高集成度芯片化
  • 高速響應(yīng)
SOI高速光開(kāi)關(guān)陣列應(yīng)用
  • 光纖傳感
  • 光纖通信
  • 光網(wǎng)絡(luò)監(jiān)控與保護(hù)

SOI高速光開(kāi)關(guān)陣列規(guī)格參數(shù)

    參數(shù)指標(biāo)
單位
最小值
典型值
最大值
備注
    波長(zhǎng)范圍
nm
1530—1570 nm  or 1270nm—1330 nm
    消光比
dB
19
20
22

    插入損耗
dB
1.6
1.8
2.0

    回波損耗
dB
40
50


    偏振相關(guān)損耗
dB

0.3
0.5

    驅(qū)動(dòng)電壓
V
0.9
1
1.2
@300ns
    驅(qū)動(dòng)電流
mA
6
7
9
@300ns
    芯片級(jí)響應(yīng)時(shí)間
ns
30

300

    熱調(diào)功耗
mW
30

50

    通道數(shù)

8—16或可定制
    光功率
mW
80



    工作溫度范圍
°C
-20

50

    工作濕度范圍
%


+65

    尺寸mm
芯片:20(L)×3 (W)×0.5(H)
可定制
器件:90(L)x50(W)x13(H)


芯片尺寸



器件尺寸

SOI高速光開(kāi)關(guān)陣列器件尺寸


四川梓冠光電SOI高速光開(kāi)關(guān)陣列訂貨信息

ZG波長(zhǎng)
通道數(shù)
類(lèi)型
13=1310nm
15=1550nm
1=1CH
4=4CH
8=8CH
16=CH
XX=other
1=不帶熱調(diào)
2=帶熱調(diào)
XX=other



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